Transistor MOSFET de potencia de Canal N IRFP4110 (International Rectifier / Infineon) en encapsulado de alta disipación TO-247AC.
Especificaciones técnicas:
- Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
- Corriente continua de drenador (Id): 180A (a 25°C) / 130A (a 100°C)
- Resistencia de conducción ultra baja RDS(on): 3.7 mΩ (típica) / 4.5 mΩ (máxima)
- Potencia de disipación (Pd): 370W
- Temperatura de operación: -55°C a +175°C
Aplicaciones habituales:
Inversores de tensión 12V/24V a 220V (onda pura y modificada), controladores de velocidad para motores de monopatines y bicicletas eléctricas, etapas de potencia de audio de alta fidelidad, fuentes conmutadas de alta corriente y sistemas de energía solar.
Transistor MOSFET IRFP4110 Canal N 100V 180A 370W TO-247
$10.000,00
Transistor MOSFET de potencia de Canal N IRFP4110 (International Rectifier / Infineon) en encapsulado de alta disipación TO-247AC.
Especificaciones técnicas:
- Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
- Corriente continua de drenador (Id): 180A (a 25°C) / 130A (a 100°C)
- Resistencia de conducción ultra baja RDS(on): 3.7 mΩ (típica) / 4.5 mΩ (máxima)
- Potencia de disipación (Pd): 370W
- Temperatura de operación: -55°C a +175°C
Aplicaciones habituales:
Inversores de tensión 12V/24V a 220V (onda pura y modificada), controladores de velocidad para motores de monopatines y bicicletas eléctricas, etapas de potencia de audio de alta fidelidad, fuentes conmutadas de alta corriente y sistemas de energía solar.